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WTM120N10GD
N沟道功率MOSFET,中压段通用,超低导通电阻、低栅极电荷，适用于同步整流、电机驱动、电池保护
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- 描述
- N沟道屏蔽栅功率MOSFET，额定电压100V/连续电流116A，导通电阻仅4.2mΩ，栅极电荷43nC，低损耗、高效率，专为同步整流、电机驱动及电池保护等大电流应用设计
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM120N10GD
- 商品编号
- C55336062
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.443333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 134W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.632nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |