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WTM18N65VF
N沟道功率MOSFET,高压段通用,平面工艺、低栅极电荷，适用于反激/正激电源、家电电源、照明驱动
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- 描述
- N沟道平面DMOS功率MOSFET，额定电压670V/电流18A，导通电阻380mΩ，栅极电荷38nC，可靠性高，适用于反激电源、家电电源及照明驱动等应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM18N65VF
- 商品编号
- C55336057
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 670V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |