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WTM30N50VMP
N沟道功率MOSFET,高压段通用,低损耗、快开关，适用于适配器、LED驱动、辅助电源
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- 描述
- N沟道平面DMOS功率MOSFET，额定电压500V/电流30A，低损耗、高效率，导通电阻150mΩ，适用于开关电源、LED驱动及辅助电源等中高功率应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N50VMP
- 商品编号
- C55336059
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 415pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |