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ATM2320KNSA
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- SOT - 23封装。ATM2320KNSA是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2320KNSA
- 商品编号
- C5221634
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
- 低输入电容
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
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