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UCC27614DR
UCC27614DR
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- 描述
- 单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。 可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27614DR
- 商品编号
- C5218775
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 10A | |
| 工作电压 | 4.5V~26V | |
| 上升时间(tr) | 4.5ns | |
| 下降时间(tf) | 4ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |