UCC27611DRVR

UCC27611是一款针对5V驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式GaNFET进行寻址。驱动电压VREF被内部线性稳压器精确稳压至5V。UCC27611提供4A拉电流和6A灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置，可根据FET优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。1Ω和0.35Ω电阻提升了针对高转换率dV和dt所致硬开关的抗扰度。 不受VDD输入信号阈值的影响确保了TTL和CMOS低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF引脚上的内部电路具有欠压锁定功能，可在VREF电源电压处于工作范围内之前，将输出保持在低电平。UCC27611采用具有外部散热焊盘和接地焊盘的小型2.00mm×2.00mm SON - 6封装(DRV)，提升了封装功率处理能力。UCC27611运行在 - 40°C至140°C的宽温度范围内。

• 增强模式氮化镓场效应晶体管(FET) (eGANFET)
• 4V到18V单电源供电电压范围
• 5V的驱动电压VREF
• 4A峰值拉电流和6A峰值灌电流驱动
• 1Ω和0.35Ω上拉和下拉电阻（最大限度提升对高转换率dV和dt的抗扰度）
• 分离输出配置（可实现针对各个FET的导通和关断优化）
• 传输延迟小（典型值为14ns）
• TTL和CMOS兼容输入（不受电源电压影响，很容易连接至数字和模拟控制器）
• 双输入设计实现了灵活驱动（反相配置和同相配置均受支持）
• 当输入悬空时输出保持在低电平
• VDD欠压锁定(UVLO)
• 采用与eGANFET兼容的优化引脚分布，方便进行布局布线
• 具有外露散热焊盘和接地焊盘的2.00mm×2.00mm小外形尺寸无引线(SON) - 6封装（最大限度降低寄生电感以减少栅极振铃）
• 工作温度范围： - 40°C至140°C

• 开关电源供电
• 直流 - 直流转换器
• 同步整流
• 太阳能逆变器、电机控制、不间断电源(UPS)
• 包络跟踪电源