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UCC27284DRCT

具有负电压处理能力和低开关损耗的3A 120V半桥驱动器

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描述: 一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关，与模拟控制器和数字控制器均可结合使用
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC27284DRCT
商品编号: C5218838
商品封装: VSON-10(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.273333克(g)

商品参数

商品概述

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。UCC27284 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27284 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27284 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。在次级侧全桥同步整流等应用中，如需要，可实现两路输入及其各自输出的重叠。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。启用和禁用功能通过降低栅极驱动器的功耗并快速响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时强制将输出置为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。UCC27284 采用小型封装，因此可支持高密度设计。

商品特性

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
5V 典型欠压锁定在 DRC 封装中启用/禁用功能
16ns 典型传播延迟
1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns
1ns 典型延迟匹配
输入上的 5V 负电压处理能力
HS 上的 14V 负电压处理能力
±3A 峰值输出电流
绝对最大启动电压为 120V
禁用时消耗的电流很低 (7μA)
集成式自举二极管
额定结温范围为 – 40°C 至 140°C

应用领域

商用网络和服务器 PSU
商用通信电源整流器
直流输入 BLDC 电机驱动器
测试和测量设备
太阳能电源优化器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	5.5V~16V
	上升时间(tr)	12ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	10ns
	传播延迟 tpLH	30ns
	传播延迟 tpHL	30ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	1.9V
	输入低电平(VIL)	1.3V
	静态电流(Iq)	400uA