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CMD90P04B
1个P沟道 耐压:40V 电流:90A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD90P04B
- 商品编号
- C5203748
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 640pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 882pF |
商品特性
- 支持高密度PCB制造
- 与SC-89相比，占位面积缩小44%，厚度降低38%
- 低电压驱动，使该器件适用于便携式设备
- 低阈值电平，VGS(TH) < 1.3 V
- 薄型封装（< 0.5 mm），可轻松适应便携式电子设备等超薄环境
- 采用标准逻辑电平栅极驱动，便于使用相同基本拓扑结构向更低电平迁移
- 这些器件为无铅器件
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。
- 汽车及其他需要独特场地和管控变更要求的应用采用S-前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。