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CMN6P06M
1个P沟道 耐压:60V 电流:6A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN6P06M
- 商品编号
- C5203743
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN6P06M采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 68mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 80mΩ
- 开关速度快
- 表面贴装封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 继电器和螺线管驱动
- 电源管理功能
- 负载开关