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SI4848DY-T1-E3

1个N沟道耐压:150V 电流:2.7A

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描述: N沟道,150V,3.7A,85mΩ@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI4848DY-T1-E3
商品编号: C57665
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.5克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：21nC @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	2.7A
	导通电阻(RDS(on))	85mΩ@10V,3.5A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	21nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	类型	N沟道