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SI4848DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:150V 电流:2.7A
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- 描述
- N沟道,150V,3.7A,85mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4848DY-T1-E3
- 商品编号
- C57665
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC