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SI2325DS-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI2325DS-T1-GE3

1个P沟道 耐压:150V 电流:0.69A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
P沟道,-150V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI2325DS-T1-GE3
商品编号
C60773
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)690mA
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V,0.5A
耗散功率(Pd)750mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.7nC@75V
输入电容(Ciss)510pF@25V
反向传输电容(Crss)16pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)30pF

数据手册PDF

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