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SIS890DN-T1-GE3实物图
SIS890DN-T1-GE3商品缩略图
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SIS890DN-T1-GE3

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:309A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    N-MOS管,封装PowerPAK1212-8(3mmX3mm)

  • 品牌名称VISHAY(威世)
  • 商品型号

    SIS890DN-T1-GE3
  • 商品编号

    C59572
  • 商品封装

    PowerPAK1212-8
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.176克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)309A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23.5mΩ@10V,10A
功率(Pd)3.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.5nC
输入电容(Ciss@Vds)802pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)19.1pF@50V
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):802pF @ 50V
功率 - 最大值:52W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装:PowerPAK? 1212-8

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