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SIS890DN-T1-GE3

1个N沟道耐压:100V 电流:309A

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描述: N-MOS管，封装PowerPAK1212-8(3mmX3mm)
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIS890DN-T1-GE3
商品编号: C59572
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：23.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：802pF @ 50V
功率 - 最大值：52W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	309A
	导通电阻(RDS(on))	23.5mΩ@10V,10A
	耗散功率(Pd)	3.7W
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	9.5nC
	输入电容(Ciss)	802pF@50V
	反向传输电容(Crss)	19.1pF@50V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	291pF