SIS890DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:309A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
N-MOS管,封装PowerPAK1212-8(3mmX3mm)
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIS890DN-T1-GE3商品编号
C59572商品封装
PowerPAK1212-8包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 309A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23.5mΩ@10V,10A | |
功率(Pd) | 3.7W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 802pF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 19.1pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):802pF @ 50V
功率 - 最大值:52W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装:PowerPAK? 1212-8
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):802pF @ 50V
功率 - 最大值:52W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装:PowerPAK? 1212-8
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥7.12
10+¥5.93
30+¥5.28
100+¥4.55
500+¥4.22
1000+¥4.07¥12210
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
1,667
江苏仓
0
SMT仓
1,733
购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个3000个/圆盘
近期成交11单
精选推荐