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SIS890DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:309A
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- 描述
- N-MOS管，封装PowerPAK1212-8(3mmX3mm)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS890DN-T1-GE3
- 商品编号
- C59572
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 309A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 802pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 291pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 能够在5V栅极驱动下工作
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电信电源模块-初级侧开关-同步整流-工业领域
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