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SI2323CDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- P沟道,-20V,-6A,39mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2323CDS-T1-GE3
- 商品编号
- C59218
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器(PA)开关
- 直流-直流(DC/DC)转换器
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