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AO4803A
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4803A
- 商品编号
- C5183839
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CM4407 是采用高单元密度沟槽技术的 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最小化导通电阻。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V,漏极电流(ID) = -5.1 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 55 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的优质封装
应用领域
- 手机及配件-个人数字助理-便携式仪器-负载开关