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AO4485
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:40V 电流:11A
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- 描述
- 广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4485
- 商品编号
- C5183843
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用先进的沟槽MOS技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg x RDS(on)乘积（品质因数）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）