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AO4606
N通道和P通道增强型MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.9A
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- 描述
- 为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4606
- 商品编号
- C5183842
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4606采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS(V) = 30V
- ID = 7.2A（VGS = 10V）
- RDS(ON) = 20mΩ（VGS = 10V）
- RDS(ON) = 30mΩ（VGS = 4.5V）
- P沟道
- 30V
- -6.8A（VGS = -10V）
- RDS(ON) = 36mΩ（VGS = -10V）
- RDS(ON) = 48mΩ（VGS = -4.5V）
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- SOP-8L
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