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AO4468
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4468
- 商品编号
- C5183837
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSS123采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 30V/10A,RDS(ON) = 16mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 30V/10A,RDS(ON) = 20mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器