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DP6580
1个N沟道 耐压:65V 电流:85A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 通过JEDEC标准认证。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- 德普微电子
- 商品型号
- DP6580
- 商品编号
- C5183065
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 98W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.101nF@32V | |
| 反向传输电容(Crss) | 292pF@32V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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