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DP4080
1个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- 德普微电子
- 商品型号
- DP4080
- 商品编号
- C5183066
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.165nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 278pF |
优惠活动
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起订量：1 个2500个/圆盘
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