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DP053N08BG
DPMOS N沟道MOSFET，80V、4.6mΩ、120A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽MOSFET-DPMOS技术。极低的导通电阻RDS(on)。出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。电池管理
- 品牌名称
- 德普微电子
- 商品型号
- DP053N08BG
- 商品编号
- C5183070
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,120A | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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