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DP4407B
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- 德普微电子
- 商品型号
- DP4407B
- 商品编号
- C5183392
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@6V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.06nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7A
- 栅源电压（VGS） = 2.5V 时，典型导通电阻 RDS(ON) 为 23mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，典型导通电阻 RDS(ON) 为 28mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式设备电池管理
- 逻辑电平转换
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- DIN315AF M4-0.7 304 B
- DIN912 M12-1.75X75 304 B Q
- DIN912 M2.5-0.45X5 304 B Q
- DIN912 M2.5-0.45X10 304 B Q
- DIN912 M2.5-0.45X6 304 B Q
- GB93 M4 304 B
- DIN127B M5 304 B
- DIN933 M16-2X50 304 B
- DIN933 M24-3X70 304 B
- A2006WR-2x8P
- SKY66111-11
- CH543D
- FR9850S6
- LMV358SR
- LMV358MR
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