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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.216nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽MOSFET技术
- 低RDSon.sp实现更低的RDS(on),降低传导损耗
- 出色的Qg × RDS(on)品质因数(FOM)
- 符合JEDEC标准
应用领域
-电池管理-电源管理开关
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