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DP3080B
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- 德普微电子
- 商品型号
- DP3080B
- 商品编号
- C5183069
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V；5.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.165nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 278pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7A
- 栅源电压（VGS） = 2.5V 时，典型导通电阻 RDS(ON) 为 23mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，典型导通电阻 RDS(ON) 为 28mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式设备电池管理
- 逻辑电平转换
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