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AO4459
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4459
- 商品编号
- C5182771
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4459采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -6.5A
- VGS = -10V时,RDS(ON) < 38mΩ
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 65mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理