AO8820-VB
2个N沟道 耐压:25V 电流:6.6A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款共源极N+NMOSFET,采用Trench技术制造,适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。TSSOP8;2个N—Channel沟道,20V;6.6A;RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.5~1V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO8820-VB商品编号
C5179541商品封装
TSSOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 25V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@4.5V,6.6A |
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