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RJE0605JPD-00-J3-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:25A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RJE0605JPD-00-J3-VB商品编号
C5179560商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 53mΩ@10V,25A |
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