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SI2308ADS-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI2308ADS-T1-GE3-VB商品编号
C5179576商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,4A |
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