温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2308ADS-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2308ADS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5179576
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 结温 175 °C
- 沟槽功率 MOSFET
- 材料分类：符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET