IRFR210TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款高性能的单路N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于中功率电子设备和模块,包括电源逆变器、电动工具驱动器和工业自动化控制系统等领域。TO252;N—Channel沟道,200V;5A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR210TRPBF-VB
- 商品编号
- C5179584
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- PWM优化
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- VBE1102M
- NTD20N03L27T4G-VB
- RSD045P05-VB
- HAF2015RJ-VB
- CEU6086-VB
- IRFL014NTRPBF-VB
- SI4436DY-T1-E3-VB
- AOT210L-VB
- BSP149-VB
- 696310001002
- A-SP192YY3C-A02-4T
- A-SP158IR1C-A02-2D
- A-SP192GT1D-C02-4T
- A-SP192GW1D-C19-4T
- A-SP192GT1D-C01-4T(LM)
- A-SC170ZGHC-A01-3T
- A-SP192GW1D-D20-4T
- A-SP192CGHC-C01-18T(L)
- A-SP151R1C-A01-3A
- A-SP192GW1D-C33-4T(T1)
- A-SP192YS1AC-A01-4T


