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AO6706-VB
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、移动设备充电管理等电子领域。SOT23-6；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO6706-VB
- 商品编号
- C5179559
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 449pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 51.6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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