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UPA1870GR-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.6A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款共源N+N型MOSFET，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、驱动器模块、电动工具控制模块等领域。TSSOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.6A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
UPA1870GR-VB商品编号
C5179553商品封装
TSSOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,8.6A |
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