IRL3803VPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单体N沟道场效应管,采用Trench工艺,适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。TO220;N—Channel沟道,30V;140A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRL3803VPBF-VB商品编号
C5179554商品封装
TO-220AB包装方式
管装
商品毛重
2.66克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 140A | |
导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,38.8A | |
耗散功率(Pd) | 3.75W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 8.4nF@15V | |
反向传输电容(Crss) | 970pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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