SI2305DS-T1-GE3-VB

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI2305DS-T1-GE3-VB

商品编号

C558248

商品封装

SOT-23(TO-236)​

包装方式

编带

商品毛重

0.054克(g)