SI3442CDV-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有小型封装和低功耗特性,采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6;N—Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI3442CDV-VB商品编号
C558262商品封装
SOT-23-6包装方式
编带
商品毛重
0.052克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 1.3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.2nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 424pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 42pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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