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SI4425DY-T1-E3&-11-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:11.6A
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- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4425DY-T1-E3&-11-VB
- 商品编号
- C558265
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V；22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟道型场效应功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 100% 进行非钳位感性开关 (UIS) 测试
- 符合 RoHS 标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 负载开关-笔记本电脑-台式电脑
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