SI4948BEY-T1-E3-VB
2个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双P型场效应晶体管,采用Trench技术,在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8;2个P—Channel沟道,-60V;-5.3A;RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4948BEY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C558271
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V;60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V;15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩测试
应用领域
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI4953ADY-T1-E3-VB
- SI4953DY-T1-E3-VB
- SI9424DY-T1-E3-VB
- SI9435BDY-T1-E3-VB
- SI9945AEY-T1-E3-VB
- SI9948AEY-T1-E3-VB
- SIR802DP-T1-GE3-VB
- SM4028NSUC-TRG-VB
- SM4307PSKC-TRG-VB
- SPD30P06PG-VB
- SQ9945BEY-T1-GE3-VB
- SSM3J332R-VB
- SSM3J36FS-VB
- SSM3K301T-VB
- ST2300S23RG-VB
- STD30NF04LT-VB
- STD35NF06T4&-38-VB
- STM4973-VB
- STM8362&-30V-VB
- STP30NF20-VB
- STS10PF30L-VB
