SI4840DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:10A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,具有优良的电气特性和可靠性,适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8;N—Channel沟道,40V;10A;RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4840DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C558269
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.217克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V;16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V;15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 负载点(POL)、中间总线转换器(IBC)
- 次级侧
- N沟道MOSFET
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