SI2319CDS-T1-GE3-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI2319CDS-T1-GE3-VB

商品编号

C558254

商品封装

SOT-23(TO-236)​

包装方式

编带

商品毛重

0.054克(g)