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SI2308DS-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:3.1A
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描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI2308DS-T1-GE3-VB商品编号
C558249商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,1.9A | |
| 功率(Pd) | 1.66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
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