商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
JY2302A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 2.9A
- RDS(ON) = 42mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 60mΩ(典型值)@ VGS = 2.5V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理