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TNM01K20FX
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- TNM01K20F 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)，且栅极电荷较低。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM01K20FX
- 商品编号
- C5156709
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V,0.55A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
N沟道增强型MOSFET
商品特性
- 漏源电压 (VDS) 为60 V，漏极电流 (ID) 为3 A
- 当栅源电压 (VGS) 为10 V时，导通状态下的漏源电阻 (RDS(ON)) 小于100 mΩ
- 当栅源电压 (VGS) 为4.5 V时，导通状态下的漏源电阻 (RDS(ON)) 小于115 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理