JY6310X
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- MOS管/PC/一体机@@N沟道增强型功率MOSFET
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- JY6310X
- 商品编号
- C5156710
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH8802G采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 3 A
- RDS(ON) < 100 m Ω(VGS = 10 V时)
- RDS(ON) < 115 m Ω(VGS = 4.5 V时)
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理
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