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TNM3K60FEX
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- MOS管/PC/一体机@@N沟道增强型功率MOSFET
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM3K60FEX
- 商品编号
- C5156707
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.25A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
KCX3406A是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用KIA的LVMOS技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。 该器件广泛应用于次级同步整流器、逆变器系统电源管理。
商品特性
- 80A，60V，VGS = 10V时RDS(ON)（典型值）= 8.5mΩ
- SGT MOSFET
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 次级同步整流器-逆变器系统电源管理