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TNM03K100KX
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- TNM03K100K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOT23，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- TNM03K100KX
- 商品编号
- C5156708
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
TNM3K60FEX采用先进技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 0.3A
- RDS(ON) ≤ 2Ω(VGS = 10V)
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