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SWD4N80D
耐压:800V 电流:4A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进技术制造，使其具备更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD4N80D
- 商品编号
- C5151749
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 156.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 679pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6407采用先进的沟槽技术，可实现出色的漏源导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = - 30V，漏极电流 (ID) = - 100A
- 栅源电压 (VGS) = - 10V时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 4mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源