温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SWD830D1
耐压:500V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该功率MOSFET采用先进技术制造，具备更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，特别是出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD830D1
- 商品编号
- C5151759
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.33Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 123.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 519pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高耐用性
- 低RDS(ON)(典型值1.33Ω)@VGS = 10V
- 低栅极电荷(典型值17nC)
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-直流-直流转换-发光二极管-个人电脑