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SWD7N65D
耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进技术制造，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，特别是出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD7N65D
- 商品编号
- C5151757
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON7401-HXY采用先进的沟槽技术，具备出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 高耐用性
- 在VGS = 10V时,低导通电阻RDS(ON)(典型值1.1Ω)
- 低栅极电荷(典型值30nC)
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
- 充电器
- LED
- 电脑电源