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HB10P1H9S
HB10P1H9S
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB10P1H9S
- 商品编号
- C54305276
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.579839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.764nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = -100V
- ID = -10A
- RDS(on) 在 VGS = -10V 时 < 195mΩ
- R 在 V = -4.5V 时 ＜ 225mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 先进的沟槽技术
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理