商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 381pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压 VDS = -20V
- 漏极电流 ID = -50A
- 在 VGS = -4.5V 时，导通电阻 RDS(on) ＜ 8.5mΩ
- 在 VGS = -2.5V 时，导通电阻 RDS(on) ＜ 11mΩ
- 低导通电阻
- 电压控制小信号开关
- 先进的沟槽技术
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理