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HL6402W6
N沟道MOSFET，高功率和电流处理能力，电压控制小信号开关，快速开关速度
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL6402W6
- 商品编号
- C54305286
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052632克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 5.6A
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(on)） < 19mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻 < 27mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池开关
- DC/DC 转换器
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