商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 143pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 30V
- 漏极电流 ID = 60A
- 在栅源电压 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(on) < 8.5mΩ
- 在 V = 4.5V 时，R ＜ 14.5mΩ
- 快速开关速度
- 先进的沟槽技术
- 表面贴装封装
应用领域
- 无刷直流电机
- 无线冲击
- 手机快速充电